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      光刻機的清洗

      字號:T|T
      文章出處:萬志宇責任編輯:HE 發表時間:2016-09-06 15:00:00

      掩模對準曝光機,曝光系統,光刻系統等。常用的光刻機是掩膜對準光刻,所以叫MaskAlignmentSystem.

      一般的光刻工藝要經歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對準曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕等工序。

      Photolithography(光刻)意思是用光來制作一個圖形(工藝);

      在硅片表面勻膠,然后將掩模版上的圖形轉移光刻膠上的過程將器件或電路結構臨時“復制”到硅片上的過程

      光刻機一般根據操作的簡便性分為三種,手動、半自動、全自動

      A手動:指的是對準的調節方式,是通過手調旋鈕改變它的X軸,Y軸和thita角度來完成對準,對準精度可想而知不高了;

      B半自動:指的是對準可以通過電動軸根據CCD的進行定位調諧;

      C自動:指的是從基板的上載下載,曝光時長和循環都是通過程序控制,自動光刻機主要是滿足工廠對于處理量的需要,恩科優的NXQ8000系列可以一個小時處理幾百片

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